TY  - THES
AB  - Die vorliegende Arbeit beschreibt die Herstellung und die Charakterisierung von Nanostrukturen in unterschiedlichen Materialien. Die Herstellung der lateralen Nanostrukturen erfolgte mittels des UHV-STM-Schreibens in unterschiedliche SAM-Resists, die als Maske für den nasschemischen Strukturübertrag in das jeweilige Substrat dienen. Die zentrale Fragestellung ist die Eignung der verschiedenen untersuchten SAM-Filme für die Erzeugung kleinster Strukturen. Untersucht wurden die minimal zu erreichenden Strukturgrößen der in die jeweiligen Substrate übertragenen Strukturen. Diese wurden mit Ergebnissen aus der Literatur verglichen, die mit anderen Lithographieverfahren erzielt wurden, um die Eignung der SAM-Filme für die STM-Lithographie zu zeigen. Durch Variation der Schreibparameter ist eine Abhängigkeit des Ätzübertrags vom Schreibprozess untersucht worden, um somit Rückschlüsse auf den Strukturierungsprozess zu erhalten. Hierzu sind Untersuchungen anderer Arbeitsgruppen herangezogen worden, die weitere Indizien lieferten.
DA  - 2002
KW  - Maske (Halbleitertechnologie) , Monoschicht , Selbstorganisation , Nanostruktur , Rastertunnelmikroskop , Nassätzen , STM-Lithographie , Selbstorganisierte Monoschichten , Nanostrukturen , SAM (Self-assembled monolayer)
LA  - ger
PY  - 2002
TI  - UHV-STM-Schreiben von Nanostrukturen in selbstorganisierte Monoschichten und Ätzübertragung in einkristallines Silizium sowie Cr- und Au-Schichten
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:361-2012
Y2  - 2024-11-22T04:20:02
ER  -