TY  - THES
AB  - Die Dissertation beschreibt die Entwicklung spektralselektiver optoelektronischer Sensoren auf der Basis amorphen Siliziums. Das herausragende Merkmal dieses neuartigen Detektortyps besteht in seiner spannungsgesteuerten spektralen Empfindlichkeit, welche die Wellenlängenabhängigkeit der optischen Absorption des Halbleitermaterials durch die Bereitstellung eines entsprechenden Ladungsträger-Driftprofils ausnutzt. Auf diese Weise ist es möglich, mit
einem einzigen Bauelement ein komplettes (RGB-) Farbsignal zu generieren. 
Die Arbeit dokumentiert die verschiedenen Entwicklungsstufen, in denen unterschiedliche Typen bipolarer und unipolarer Farbsensoren realisiert und optimiert worden sind. Der trichromatische Sensor des unipolaren Typs pi 3 n stellt den Endpunkt der Entwicklung dar. Er verbindet eine gute Farbtrennung mit hoher Dynamik und zeichnet sich darüber hinaus durch
eine respektable Auslesegeschwindigkeit aus. 
Besondere Bedeutung erhält die Entwicklung der Farbsensoren im Zusammenhang mit der TFA-Technologie (Thin Film on ASIC), einer neuartigen Technologie zur Realisierung optischer Bildsensoren. Unmittelbar vor Fertigstellung dieser Arbeit konnte weltweit erstmalig die Realisierung eines TFA-Farbbildsensors demonstriert werden konnte. Hierbei kam ein unipolarer Dreifarbsensor zum Einsatz, welcher vom Autor im Rahmen dieser Arbeit entwickelt worden ist. Nicht zuletzt diese Tatsache belegt, daß die äußerst innovative Farbsensortechnologie
den Weg für eine neue Generation von Farbbildaufnehmern mit vielfältigen
Anwendungsfeldern ebnet, die von der digitalen Photographie bis hin zu komplexen
Farbbildverarbeitungssystemen für den industriellen Bereich reichen.
AU  - Rieve, Peter
DA  - 2000
KW  - Farbsensor
KW  - TFA-Technologie
KW  - Farbmetrik
LA  - ger
PY  - 2000
TI  - Spektralselektive optoelektronische Sensoren auf der Basis amorphen Siliziums
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:467-1832
Y2  - 2024-11-22T08:03:44
ER  -