TY  - THES
AB  - Im Rahmen dieser Arbeit wurde im Labormaßstab eine Depositionsanlage zur Herstellung von amorphen hydrogenisierten Silizium (a-Si:H) Solarzellen auf einem kontinuierlichen Stahlband geplant, entworfen und aufgebaut. Die Anlage besteht aus fünf Prozeßkammern und zwei Substratauf- bzw. Abwickelkammern, die durch spezielle Zwischenstücke miteinander verbunden sind. Die Zwischenstücke erlauben Druckverhältnisse von mehr als 1:1000 zwischen benachbarten Depositionszonen. Zwei Kammern/ Depositionszonen dienen der Herstellung von metallischen- bzw. TCO- ( T ransparent C onductive O xide ) Schichten durch einen Sputterprozeß, zwei weitere Kammern werden zur Herstellung des a-Si:H Schichtsystemes benötigt. Die verbleibende Kammer ist zur Einkopplung eines Laserstrukturierungssystemes vorgesehen, welches zur integrierten Serienverschaltung benötigt wird. 
Auf einem kontinuierlichen, während der Deposition beweglichen Edelstahlband von 9cm Breite und ca. 75m Länge wurden in einem parallelen Depositionsprozeß a-Si:H Solarzellen hergestellt. Erstmals wurden Sputter- und PECVD-Prozesse sowohl zur Deposition intrinsischer Schichten als auch dotierter Schichten zeitgleich in einer Vakuumkammer durchgeführt. Dieses parallele Prozessieren ermöglicht die Massenproduktion von Solarzellen im reel to reel Verfahren auf kontinuierlich bewegten langen flexiblen Substraten. Der entwickelte stop and go Betrieb läßt sich ohne Einschränkungen auf ein bewegtes Substrat
übertragen, da er die Substratbeweglichkeit nicht behindert. Die Anfangswirkungsgrade der in einem parallelen Depositionsprozeß hergestellten Solarzellen sind gegenüber den in separaten Depositionen hergestellten Zellen zunächst unverändert und konnten sogar durch intensive Optimierung auf über 6,7% (A=0,785cm 2 ) gesteigert werden.
AU  - Scholz, Markus
DA  - 1999
KW  - Solarzellen
KW  - Fertigungsverfahren
KW  - Vakuumsystem
LA  - ger
PY  - 1999
TI  - Realisierung eines Mehrkammer-Depositionssystems zur kontinuierlichen photovoltaischen Beschichtung flexibler Substrate
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:467-1870
Y2  - 2024-11-24T10:17:08
ER  -