TY  - THES
AB  - TFA (Thin Film on ASIC) -Bildsensoren kombinieren Fotodetektoren auf der Basis amorphen Siliziums mit integrierten Schaltungen in Standard-ASIC (Application Specific Integrated Circuit) –Technologie. Üblicherweise werden a-Si:H-pin-Dioden als Fotodetektoren eingesetzt.
Die Qualität des Bildsignals wird grundsätzlich durch das Rauschen der Fotodetektoren sowie durch das Rauschen der integrierten Schaltkreise begrenzt.
Die analytische Berechnung aller am Eingang des Pixelverstärkers auftretenden Rauschkomponenten und die Begrenzung von DR und SNR werden als Funktion von Pixelfläche, Dunkel- und Fotostrom sowie Integrationszeit beschrieben und für verschiedene TFABildsensoren vorgestellt. Es wird eine Prognose der Entwicklung von DR und SNR bei zukünftigen Generationen von TFA-Bildsensoren mit reduzierten CMOS-Strukturgrößen vorgestellt. Der Anstieg aller Rauschkomponenten und die Verringerung der maximalen Signalspannung tragen bei der Skalierung zur Reduzierung von SNR und DR bei. Dabei nimmt das thermisch bedingte Rauschen stärker zu als das Rauschen des Fotostromes, so dass der Abstand zwischen SNR und DR abnimmt.
AU  - Blecher, Frank
DA  - 2002
KW  - Rauschen
KW  - Bildsensor
KW  - a-Si (amorphes Silicium)
LA  - ger
PY  - 2002
TI  - Rauschen von a-Si:H-pin-Dioden für TFA-Bildsensorarrays
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:467-207
Y2  - 2024-12-26T20:58:35
ER  -