Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der experimentellen Bestimmung der unbesetzten elektronischen Bandstruktur von topologischen Isolatoren. Diese Materialien sind Halbleiter mit starker Spin-Bahn-Wechselwirkung, deren globale Bandlücke des Volumenkristalls leitende Oberflächenzustände aufweist. Als zu untersuchende Systeme wurden für diese Arbeit zwei der drei prominentesten topologischen Isolatoren gewählt, Bi2Se3 und Sb2Te3. Zusätzlich wird als topologisches Halbmetall und Ursprungskomponente von Sb2Te3 auch die Bandstruktur von Sb(111) bestimmt. Die verwendete Messmethode ist die spin- und winkelaufgelöste Inverse Photoemission.