Zur Seitenansicht

Titelaufnahme

Zugriffsbeschränkung
  •  Das Dokument ist frei verfügbar
Links
  • Social Media
     
     Share
  • Nachweis
  • IIIF
Dateien
Klassifikation
Zusammenfassung
  • Untersuchung von Ober- und Grenzflächen mittels niederenergetischer Photoelektronenbeugung Eine wichtige Aufgabe der Oberflächenphysik ist die Bestimmung der elektronischen und strukturellen Eigenschaften von Halbleiterober- und grenzflächen. Dabei bilden die Oberfläche des Siliziums und die Grenzfläche zwischen Silizium und Siliziumoxid aufgrund ihrer technologischen Bedeutung interessante und wichtige Systeme. Die Arbeit befaßt sich mit der Untersuchung der atomaren geometrischen Struktur dieser Grenz- und Oberflächen. Die Strukturbestimmung erfolgt mit der Methode der Photoelektronenbeugung. Dazu werden die durch Röntgenstrahlung aus kernnahen Niveaus emittierten Photoelektronen winkelabhängig aufgenommen, wobei die Elektronen aufgrund der unterschiedlichen Bindungsenergie nach ihrem Ursprung (Oberfläche, Grenzfläche oder Volumen) getrennt werden können. Die so gemessenen Intensitätsverteilungenen (Beugungsmuster) liefern durch den Vergleich mit Simulationen die atomare Struktur. Die Methode wurde erfolgreich bei der Si(100)-2x1 und der Si(100):H-2x1-Oberfläche und den SiO2/Si(100) und SiO2/Si(111) Grenzflächen angewandt.
Statistik
  • Das PDF-Dokument wurde 6 mal heruntergeladen.