TY  - THES
A3  - Donath, Markus
A3  - Donath, Markus H.
A3  - Donath, Markus Horst
A3  - Donath, M.
AB  - Der Fokus dieser Arbeit liegt auf der elektronischen Struktur von Re- und W-basierten, halbleitenden Übergangsmetall-Dichalkogeniden. ReSe2 weist ausgeprägt anisotrope opotoelektronische Eigenschaften auf, während Einzellagen WS2 eine spinabhängige elektronische Struktur hat. Diese Eigenschaften machen die beiden Materialien zu vielversprechenden Kandidaten für elektronische und optoelektronische Bauelemente. Von besonderer Wichtigkeit sind dabei die Eigenschaften des höchsten Valenzbandes, des niedrigsten Leitungsbandes und der daraus resultierenden Bandlücke. Die elektronische Struktur wird in dieser Arbeit experimentell mit spin- und winkelaufgelöster Photoemission im besetzten Bereich und mit spin- und winkelaufgelöster inverser Photoemission im unbesetzten Bereich untersucht.
AU  - Eickholt, Philipp
AU  - Eickholt, Philipp Maria
DA  - 2019
KW  - TMDC
KW  - Halbleiter
KW  - 2D Materialien
KW  - Electronische Struktur
KW  - Spin
KW  - SARPES
KW  - SRIPE
KW  - Semiconductor
KW  - 2D materials
KW  - Electronic structure
LA  - eng
PY  - 2019
TI  - Spin-dependent electronic structure of Re- and W-based semiconducting transition metal dichalcogenides
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:6-34129639501
Y2  - 2024-11-21T23:47:20
ER  -