TY  - THES
A3  - Benninghoven, Alfred
A3  - Benninghoven, A.
A3  - Benninghoven, A.
A3  - Benninghoven, A.
A3  - Benninghoven, A.
A3  - Benninghoven, A.
AB  - Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich sowohl mit der Entwicklung der TOF-SIMS Gerätetechnologie als auch mit deren Anwendung. Entwicklungen wie eine neue, extrem niederenergetische Sputterionenquelle (200 eV - 2 keV) bei gleichzeitig deutlich gesteigerten Ionenströmen, eine massengefilterte Goldcluster-Flüssigmetallionenquelle oder das simultane Sputtern mit Cs- und Xe-Ionen zur Einstellung der Oberflächenchemie und Optimierung der Sekundärionenausbeute werden beschrieben. Die neuen Komponenten werden zur Untersuchung des atomic mixings unter den speziellen Bedingungen des Dual-Beam Verfahrens im TOF-SIMS verwendet. Ein weiteres Kapitel widmet sich der Sekundärionenbildung Cs-bedeckter Metalloberflächen. Im letzten Kapitel wird die Anwendung von TOF-SIMS zur Untersuchung von Mikrovolumina von einigen 10 µm Ausdehnung und einigen µm Tiefe diskutiert.
AU  - Grehl, Thomas
DA  - 2003
KW  - TOF-SIMS
KW  - Tiefenprofilierung
KW  - Atomic Mixing
KW  - Mikrobereichsanalyse
LA  - eng
PY  - 2003
TI  - Improvements in TOF-SIMS instrumentation for analytical application and fundamental research
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:6-85659547784
Y2  - 2024-11-22T03:48:53
ER  -