Titelaufnahme
Titelaufnahme
- TitelImprovements in TOF-SIMS instrumentation for analytical application and fundamental research
- Verfasser
- Betreuer
- Erschienen
- SpracheEnglisch
- DokumenttypDissertation
- Schlagwörter (DE)
- URN
Zugriffsbeschränkung
- Das Dokument ist frei verfügbar
Links
- Social MediaShare
- Nachweis
- IIIF
Dateien
Klassifikation
Zusammenfassung
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich sowohl mit der Entwicklung der TOF-SIMS Gerätetechnologie als auch mit deren Anwendung. Entwicklungen wie eine neue, extrem niederenergetische Sputterionenquelle (200 eV - 2 keV) bei gleichzeitig deutlich gesteigerten Ionenströmen, eine massengefilterte Goldcluster-Flüssigmetallionenquelle oder das simultane Sputtern mit Cs- und Xe-Ionen zur Einstellung der Oberflächenchemie und Optimierung der Sekundärionenausbeute werden beschrieben. Die neuen Komponenten werden zur Untersuchung des atomic mixings unter den speziellen Bedingungen des Dual-Beam Verfahrens im TOF-SIMS verwendet. Ein weiteres Kapitel widmet sich der Sekundärionenbildung Cs-bedeckter Metalloberflächen. Im letzten Kapitel wird die Anwendung von TOF-SIMS zur Untersuchung von Mikrovolumina von einigen 10 µm Ausdehnung und einigen µm Tiefe diskutiert.
Statistik
- Das PDF-Dokument wurde 2 mal heruntergeladen.